影(ying)響數(shu)字(zi)式(shi)絕緣電(dian)阻測(ce)試(shi)儀的(de)因(yin)素(su)的(de)幾個主要因(yin)素(su)

壹(yi)、溫(wen)度的(de)影(ying)響：
       運(yun)行中的(de)電力(li)設(she)備(bei)其(qi)溫(wen)度隨周圍(wei)環(huan)境變(bian)化，其(qi)絕緣(yuan)電阻也是(shi)隨溫(wen)度而變(bian)化的(de)。壹(yi)般(ban)情況下(xia)，絕(jue)緣(yuan)電(dian)阻隨溫(wen)度升高而降(jiang)低(di)。原(yuan)因(yin)在於(yu)溫(wen)度升高時(shi)，絕(jue)緣介(jie)質(zhi)內(nei)部離子、分(fen)子運(yun)動(dong)加(jia)劇，絕緣物(wu)內(nei)的(de)水分(fen)及(ji)其(qi)中含(han)有的(de)雜質(zhi)、鹽(yan)分等物(wu)質(zhi)也呈(cheng)擴(kuo)散(san)趨勢(shi)，電(dian)動(dong)式絕(jue)緣(yuan)電(dian)阻測(ce)試(shi)儀使(shi)電導(dao)增加(jia)，絕緣(yuan)電(dian)阻(zu)降(jiang)低(di)。這與導體(ti)的(de)電阻(zu)隨溫(wen)度的(de)變(bian)化是(shi)不壹(yi)樣(yang)的(de)。不同(tong)的(de)電力(li)設(she)備(bei)及(ji)不同(tong)材(cai)料(liao)制成的(de)電力(li)設(she)備(bei)，其(qi)絕緣(yuan)電阻隨溫(wen)度的(de)變(bian)化也不壹(yi)樣(yang)，現場(chang)測(ce)童也(ye)很(hen)難保(bao)證(zheng)在*近(jin)似的(de)溫(wen)度下(xia)進(jin)行(xing)。為了進(jin)行試(shi)驗結(jie)果(guo)比(bi)較，有關(guan)單位(wei)曾給出(chu)壹(yi)些設(she)備(bei)的(de)溫(wen)度換算系數(shu)，但由(you)於(yu)設(she)備(bei)的(de)陳(chen)舊(jiu)程(cheng)度、幹燥程(cheng)度，使用的(de)測(ce)溫(wen)方法等影(ying)響因(yin)素(su)很(hen)多，很(hen)難得(de)出(chu)壹(yi)個準確的(de)換算(suan)系數。因(yin)此實際(ji)測(ce)量絕(jue)緣電(dian)阻時(shi)，必(bi)須記(ji)錄(lu)試(shi)驗溫(wen)度（環境溫(wen)度及(ji)設(she)備(bei)本體溫(wen)度），而且盡(jin)可(ke)能在相近(jin)溫(wen)度下(xia)進(jin)行(xing)測(ce)量，以避免(mian)溫(wen)度換算引(yin)起的(de)誤差。
 
二(er)、濕度和電力設(she)備(bei)表面臟(zang)汙(wu)的(de)影(ying)響：
       電(dian)力(li)設(she)備(bei)周圍(wei)環(huan)境濕(shi)度的(de)變(bian)化及(ji)空(kong)氣(qi)汙(wu)染造成的(de)表面(mian)臟(zang)汙(wu)對(dui)絕(jue)緣電(dian)阻(zu)影(ying)響很(hen)大。空氣相對(dui)濕(shi)度增大時(shi)，絕(jue)緣物(wu)表(biao)面(mian)吸(xi)附(fu)許(xu)多水分，使(shi)表(biao)面(mian)電導(dao)率增加(jia)，指針(zhen)式(shi)絕(jue)緣電阻(zu)測(ce)試(shi)儀絕(jue)緣電(dian)阻(zu)降(jiang)低(di)。當(dang)絕(jue)緣物(wu)表(biao)面(mian)形(xing)成連(lian)通水(shui)膜時(shi)，絕(jue)緣電(dian)阻更(geng)低(di)。如(ru)雨後(hou)測(ce)得壹(yi)組(zu)220kV磁吹避雷(lei)器(qi)的(de)絕緣(yuan)電阻僅(jin)為2000MΩ；當屏(ping)蔽掉(diao)其(qi)表面(mian)電流時(shi)，絕(jue)緣電(dian)阻為1000MΩ以上；第(di)二(er)天(tian)下(xia)午(wu)晴(qing)天(tian)，在表(biao)面(mian)幹(gan)燥(zao)狀態下(xia)測(ce)量其(qi)絕緣(yuan)電阻也在1000MΩ以上。電(dian)力設(she)備(bei)的(de)表面(mian)臟(zang)汙(wu)也(ye)使設(she)備(bei)表面電(dian)阻大大降(jiang)低(di)，絕(jue)緣(yuan)電阻顯著下(xia)降(jiang)。根據以上兩(liang)種情(qing)況，現場(chang)測(ce)量絕(jue)緣電(dian)阻時(shi)都(dou)必須(xu)用屏(ping)蔽環消除表(biao)面泄漏(lou)電(dian)流(liu)的(de)影(ying)響或(huo)烘(hong)幹(gan)、清(qing)擦(ca)幹(gan)凈設(she)備(bei)表面，以得到(dao)真(zhen)實的(de)測(ce)量值(zhi)。
 
三(san)、殘余(yu)電(dian)荷(he)的(de)影(ying)響：
       大容(rong)量(liang)設(she)備(bei)運(yun)行中的(de)殘余(yu)電(dian)荷(he)或(huo)試(shi)驗中形(xing)成的(de)殘余(yu)電(dian)荷(he)未*放盡(jin)，會(hui)造成絕(jue)緣(yuan)電阻(zu)偏大或(huo)偏小(xiao)，引(yin)起測(ce)得的(de)絕緣(yuan)電阻不真(zhen)實。殘余(yu)電(dian)荷(he)的(de)極(ji)性與兆歐表的(de)極(ji)性相同(tong)時(shi)，測(ce)得的(de)絕緣(yuan)電阻將比真實(shi)值(zhi)增大；殘余(yu)電(dian)荷(he)的(de)極(ji)性與兆歐表的(de)極(ji)性相反時(shi)，測(ce)得的(de)絕緣(yuan)電阻將比真實(shi)值(zhi)減小(xiao)。原因(yin)在於(yu)極(ji)性相同(tong)時(shi)，由(you)於(yu)同(tong)性相斥，兆歐表輸(shu)出(chu)較(jiao)少(shao)電荷(he)；數(shu)字(zi)式(shi)絕(jue)緣電阻測(ce)試(shi)儀極(ji)性相反時(shi)，兆(zhao)歐表要輸(shu)出(chu)更(geng)多(duo)電(dian)荷(he)去中(zhong)和殘余(yu)電(dian)荷(he)。為消除殘余(yu)電(dian)荷(he)的(de)影(ying)響，測(ce)量絕(jue)緣電(dian)阻前必(bi)須(xu)充分(fen)接(jie)地放電(dian)，重復(fu)側(ce)量(liang)中也應(ying)充(chong)分(fen)放電(dian)，大容(rong)量(liang)設(she)備(bei)應(ying)至少(shao)放電(dian)5min。如(ru)壹(yi)大容(rong)量(liang)變(bian)壓器(qi)，充分(fen)放電(dian)後(hou)*次測(ce)得其(qi)屍個繞組(zu)的(de)絕緣(yuan)電阻為4000MΩ，第(di)二(er)次再測(ce)同(tong)壹(yi)繞組(zu)（未充(chong)分(fen)放電(dian)），絕(jue)緣(yuan)電阻為5000MΩ，宛分(fen)放電(dian)10min後(hou)第(di)三(san)次(ci)測(ce)量，其(qi)絕緣(yuan)電阻為4000MΩ。